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SiA911EDJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
25 °C, unless otherwise noted
10 3
15
10
5
10 2
10 1
1
10 -1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0
10 -2
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-to-Source Voltage
5
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-to-Source Voltage
T C = - 55 °C
V GS = 5 thr u 2.5 V
8
4
6
4
V GS = 2 V
3
2
2
V GS = 1.5 V
1
T C = 25 °C
T C = 125 °C
V GS = 1 V , 0.5 V
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.35
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.2 8
V GS = 1. 8 V
6
I D = 3.6 A
V DS = 10 V
0.21
4
0.14
0.07
0.00
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
2
0
V DS = 16 V
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
Document Number: 68927
S09-0389-Rev. B, 09-Mar-09
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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